企业简介
江苏宏微科技有限公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产，具有多种专项技术的科技专家组建的高科技企业。企业的宗旨是为国内外用户提供绿色高效节能的电子产品，并提供电力电子系统的解决方案。 公司的业务范围包括： 1） 设计、研发、生产和销售新一代电力电子分立器件，如FRED、VDMOS、IGBT、标准模块及用户定制模块（CPM）； 2） 提供新型电力电子器件的动态、静态参数测试系统与装置； 3） 高效节能电力电子装置的设计、制造及系统的解决方案，如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。 企业实力：火炬计划重点高新技术企业；高技术产业化示范工程基地；江苏省企业院士工作站；江苏省博士后创新实践基地；江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心；江苏省百家科技成长型企业；IGBT和FRED 标准起草单位；先进的测试分析中心、可靠性实验室及失效分析实验室； 先进的超净、抗静电功率模块生产线；宏微科技南京大学电子节能联合研究中心；13 项发明专利，25 项实用新型专利；承担5 项项目和2 项省级项目。总部 地 址：江苏省常州市华山中路18号 联系人：田 慧 Tel： 0519-85166088-8083 Fax: 0519-85162291 邮 箱: htian@ 华北业务处联系人： 宋印洲手机： （0）13589040489邮 箱: yzsong@西南业务处联系人： 廖庆 手机： （0）13308080818邮 箱: qliao@华东业务处联系人： 耿爱宾手机： （0）15961201711邮 箱: abgeng@ 华南业务处联系人： 俞明亮手机： （0）13925207436 邮箱： mlyu@ 电源事业部销售代表地 址：江苏省常州市华山中路18号 联系人：海俊 Tel： 0519-85166088-8082 Fax: 0519-85162291 邮 箱: plsales@
江苏宏微科技股份有限公司的工商信息
- 320407000058970
- 913204007919521038
- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
- 2006年08月18日
- 赵善麒
- 6445.000000
- 2006年08月18日 至 永久
- 常州市工商行政管理局
- 2017年11月23日
- 常州市新北区华山路18号
- 电子元器件及电子设备的设计、研发、制造与销售；计算机软件的开发与销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务， 国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
分支机构
江苏宏微科技有限公司深圳分公司
江苏宏微科技股份有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 江苏宏微科技股份有限公司 | www.macmicst.com |
江苏宏微科技股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 5733957 |  |
图形 | 2006-11-20 | 半导体器件；集成电路块；计算机软件(已录制)；半导体；控制板(电)；太阳能电池；电动调节设备；整流用电力装置；测量器械和仪器；稳压电源 | 查看详情 |
江苏宏微科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106533240A | 零电压零电流开关的三电平Buck变换器及其控制方法 | 2017.03.22 | 本发明涉及一种零电压零电流开关的三电平Buck变换器及其控制方法，包括直流电源V<sub>dc</s |
| 2 | CN106533174A | 双路斩波调压的电力电子模块 | 2017.03.22 | 本发明涉一种双路斩波调压的电力电子模块，包括用于接收两路电压信号的调压信号接口电路、用于输出两路PW |
| 3 | CN106449552A | 双面直接冷却散热结构的功率模块 | 2017.02.22 | 本发明涉及一种双面直接冷却散热结构的功率模块，功率模块单元的多个第一半导体芯片、多个第二半导体以及信 |
| 4 | CN106384728A | 带散热功能的功率模块 | 2017.02.08 | 本发明涉及一种带散热功能的功率模块，包括散热外壳和功率模块单元，各第一半导体芯片、各第二半导体及信号 |
| 5 | CN205542745U | 功率模块的外壳与基板连接结构 | 2016.08.31 | 本实用新型涉及种功率模块的外壳与基板连接结构，包括基板和设置在基板上部的外壳，所述基板在两侧分别设有 |
| 6 | CN105762198A | 沟槽式快恢复二极管及其制备方法 | 2016.07.13 | 本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化 |
| 7 | CN205248280U | 绝缘栅双极晶体管的背面结构 | 2016.05.18 | 本实用新型涉及一种绝缘栅双极晶体管的背面结构，在硅片的背面间隔设有背面沟槽，背面沟槽的槽壁与水平面之 |
| 8 | CN205248250U | 一种低电感轻薄型功率模块 | 2016.05.18 | 本实用新型涉及一种低电感轻薄型功率模块，包括外壳，焊接在覆金属陶瓷基板上的半导体芯片、功率端子及控制 |
| 9 | CN205248253U | 一种无底板均压式功率模块 | 2016.05.18 | 本实用新型涉及一种无底板均压式功率模块，覆金属陶瓷基板上均布有多个用于支承弹簧的顶块，盖板连接在外壳 |
| 10 | CN103050459B | 功率模块信号端子及其连接结构 | 2016.05.18 | 本发明涉及一种功率模块信号端子，包括平台部分、位于平台部分内侧用于相接和应力释放的弹性部分以及位于平 |
| 11 | CN105489638A | 绝缘栅双极晶体管的背面结构及其制作方法 | 2016.04.13 | 本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的背面结构，在硅片的背面间隔设有背面沟槽，背面沟槽的槽壁与水平面之间的 |
| 12 | CN105448851A | 无底板均压式功率模块 | 2016.03.30 | 本发明涉及一种无底板均压式功率模块，覆金属陶瓷基板上均布有多个用于支承弹簧的顶块，盖板连接在外壳上， |
| 13 | CN105448846A | 低电感轻薄型功率模块 | 2016.03.30 | 本发明涉及一种低电感轻薄型功率模块，包括外壳，焊接在覆金属陶瓷基板上的半导体芯片、功率端子及控制端子 |
| 14 | CN103035595B | 功率模块端子及其连接结构 | 2016.03.23 | 本发明涉及一种功率模块端子，端子从上至下包括具有弹性的连接部分、主体部分以及用于应力释放的折弯部分， |
| 15 | CN103117253B | 功率模块的封装结构 | 2016.03.23 | 本发明涉及一种功率模块的封装结构，外壳内设有的横隔板和与横隔板相接的三个以上纵隔板构成框架结构，三个 |
| 16 | CN105405759A | 由氢注入工艺控制恢复特性的快恢复二极管的制备方法 | 2016.03.16 | 本发明涉及一种由氢注入工艺控制恢复特性的快恢复二极管的制备方法，对已经完成正面工序、并在正面带有保护 |
| 17 | CN102867788B | 基于新型覆金属陶瓷基板的功率模块 | 2016.03.02 | 本发明涉及一种基于新型覆金属陶瓷基板的功率模块，包括外壳和覆金属陶瓷基板，覆金属陶瓷基板的金属层连接 |
| 18 | CN103531555B | 免焊接端子的功率模块 | 2016.01.20 | 本发明涉及一种免焊接端子的功率模块，端子包括上部具有弹性的连接部分和带有轴肩的主体部分，端子的底面为 |
| 19 | CN204857704U | 功率模块的散热连接结构 | 2015.12.09 | 本实用新型涉及一种功率模块的散热连接结构，包括功率模块以及散热器和铝板，所述铝板的两侧设置有安装孔， |
| 20 | CN204834599U | 一种免螺钉紧固型功率模块 | 2015.12.02 | 本实用新型涉及一种免螺钉紧固型功率模块，散热器的上部设有带两凸肩的至少一个槽口，功率模块在其底板下部 |
| 21 | CN204771342U | DBC板与端子焊接的焊接治具 | 2015.11.18 | 本实用新型涉及一种DBC板与端子焊接的焊接治具，包括底座和能拆装的盖板，所述的底座为中空的套状结构， |
| 22 | CN103066042B | 功率模块电极端子的连接结构 | 2015.07.15 | 本发明涉及一种功率模块电极端子的连接结构，包括电极端子和连接件，所述的电极端子包括一体的底座和引出板 |
| 23 | CN104752495A | 绝缘栅双极晶体管的源区结构 | 2015.07.01 | 本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的源区结构，在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的区域包括 |
| 24 | CN104716038A | 复合快恢复二极管及其制备方法 | 2015.06.17 | 本发明涉及一种复合快恢复二极管的制备方法，(1)、氧化、光刻有源区，(2)、N型杂质离子注入，(3) |
| 25 | CN104716028A | 沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构及其制备方法 | 2015.06.17 | 本发明涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构的制备方法，按以下步骤进行，⑴、场限环制作，⑵、氧化 |
| 26 | CN104701277A | 功率模块的封装结构 | 2015.06.10 | 本发明涉及一种功率模块的封装结构，包括外壳、散热器以及驱动电路板和连接有半导体芯片的覆陶瓷金属基板， |
| 27 | CN104701274A | 带有双散热器的功率模块 | 2015.06.10 | 本发明涉及一种带有双散热器的功率模块，下覆金属陶瓷基板通过铜基板与下散热器固定连接，半导体芯片的集电 |
| 28 | CN104701268A | 智能功率模块 | 2015.06.10 | 本发明涉及一种智能功率模块，集成电路芯片和器件分别通过铝丝与铝基覆铜板键合；半导体单元模块包括铜基板 |
| 29 | CN104701278A | 通用型功率模块的散热机构 | 2015.06.10 | 本发明涉及一种通用型功率模块的散热机构：散热主体包括底座、顶板以及固定在底座和顶板之间内侧的封板并构 |
| 30 | CN103023281B | 装配式功率模块 | 2015.06.10 | 本发明涉及一种装配式功率模块，主电路板上的覆金属陶瓷基板与各器件以及多个端子连接，各端子从上至下包括 |
| 31 | CN104617064A | 叠加型功率模块 | 2015.05.13 | 本发明涉及一种叠加型功率模块，包括基板和复合在基板上端面的金属层，至少三个电极端子嵌接在基板，第一管 |
| 32 | CN104617085A | 叠加组装式功率模块 | 2015.05.13 | 本发明涉及一种叠加组装式功率模块，包括至少三个功率模块，各功率模块包括基板和金属层，基板的外周边设有 |
| 33 | CN204303819U | 沟槽式快恢复二极管 | 2015.04.29 | 本实用新型涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽 |
| 34 | CN102832179B | 用于焊接功率模块的金属基板 | 2015.04.29 | 本发明涉及一种用于焊接功率模块的金属基板，包括板体，其特征在于：所述板体的正面设置有对焊料层外周边进 |
| 35 | CN102800833B | 功率模块电极端子及其焊接方法 | 2015.03.18 | 本发明涉及一种功率模块电极端子，包括一体的支座和引出板，引出板上设有通孔，支座包括横板和设置在横板两 |
| 36 | CN203774335U | 双栅MOS结构的功率晶体管 | 2014.08.13 | 本实用新型涉及一种双栅MOS结构的功率晶体管，栅氧化层位于第一掺杂层上，第二掺杂层位于第一掺杂层内并 |
| 37 | CN103872136A | 双栅MOS结构的功率晶体管及其制作方法 | 2014.06.18 | 本发明涉及一种双栅MOS结构的功率晶体管，栅氧化层位于第一掺杂层上，第二掺杂层位于第一掺杂层内并与栅 |
| 38 | CN203631558U | 沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构 | 2014.06.04 | 本实用新型涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构，所述沟槽栅的栅孔引线顶部与栅极金属相接、底部与 |
| 39 | CN203631562U | 新型绝缘栅双极晶体管的源区结构 | 2014.06.04 | 本实用新型涉及一种新型绝缘栅双极晶体管的源区结构，在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的 |
| 40 | CN203607394U | 功率集成模块 | 2014.05.21 | 本实用新型涉及一种功率集成模块，集成电路芯片和器件分别通过铝丝与铝基覆铜板键合；半导体单元模块包括铜 |
| 41 | CN203607390U | 模块化封装结构 | 2014.05.21 | 本实用新型涉及一种模块化封装结构，包括外壳、散热器以及驱动电路板和连接有半导体芯片的覆陶瓷金属基板， |
| 42 | CN203607388U | 功率模块的散热机构 | 2014.05.21 | 本实用新型涉及一种功率模块的散热机构，包括一个散热主体，散热主体包括底座以及顶板和隔板形成两个以上独 |
| 43 | CN203607387U | 双面散热的功率模块 | 2014.05.21 | 本实用新型涉及一种双面散热的功率模块，下覆金属陶瓷基板通过铜基板与下散热器固定连接，半导体芯片设置在 |
| 44 | CN203607418U | 复合快恢复二极管 | 2014.05.21 | 本实用新型涉及一种复合快恢复二极管，包括依次相连接的金属阴极层、N<sup>+</sup>衬底层、N |
| 45 | CN203553138U | 叠加型功率模块 | 2014.04.16 | 本实用新型涉及一种叠加型功率模块，包括基板和复合在基板上端面的金属层，至少三个电极端子嵌接在基板，第 |
| 46 | CN203553157U | 叠加组装式功率模块 | 2014.04.16 | 本实用新型涉及一种叠加组装式功率模块，包括至少三个功率模块，各功率模块包括基板和金属层，基板的外周边 |
| 47 | CN203553127U | 轻薄型低电感功率模块 | 2014.04.16 | 本实用新型涉及一种轻薄型低电感功率模块，包括外壳和覆金属陶瓷基板，半导体芯片固定在覆金属陶瓷基板上， |
| 48 | CN203503644U | 免焊接端子的功率模块 | 2014.03.26 | 本实用新型涉及一种免焊接端子的功率模块，端子包括上部具有弹性的连接部分和带有轴肩的主体部分，端子的底 |
| 49 | CN103531555A | 免焊接端子的功率模块 | 2014.01.22 | 本发明涉及一种免焊接端子的功率模块，端子包括上部具有弹性的连接部分和带有轴肩的主体部分，端子的底面为 |
| 50 | CN203071056U | 功率模块的散热机构 | 2013.07.17 | 本实用新型涉及一种功率模块的散热机构，包括覆金属陶瓷基板和铜底板，所述覆金属陶瓷基板焊接在铜底板上， |
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